Тестер Lcr t4 Транзистор тестер

наш сайт smartenergy.net.ua там дешевший____

Тестер радіоелементів із графічним дисплеєм
Вимірювач ESR + LCR метр + тестер напівпровідників. Тестер автоматично визначає транзистори, діоди, тиристори, резистори та конденсатори, визначає номери та типи виводів. 

Параметры:

час тесту: 1-2 сек.
діапазони вимірювань:
опір: 0,5 Ω - 50M Ω
індуктивність: 0.01MH - 10H
місткість конденсатора: 30 пФ - 20000uF
робоча напруга: крона 9 В або DC 5.5 - 12В
 

Комплект постачання:

1x — Тестер транзисторів LCR-T4 ESR

Особливості
Рідкокристалічний дисплей 128х64 із зеленим підсвічуванням.
-Автоматична ідентифікація радіоелектронний компонентів (резистор, конденсатор, котушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N-канальний і Р-канальний MOS FET, JFET транзисстор, малопотужний тисатор, симістор.
- Вимірювання опору, ємності, індуктивності, прямої напруги переходу в діодах і біполярних транзисторів, ємності та порокової напруги затвора в польових транзисторів, виявлення захисних діодів у транзиссторах.
- Постачається без корпусу (КІТ).
-Питание 9V от   батареї типу "Крона" (не входить до комплекту постачання).

*   Розряджайте конденсатори до тестування!
    
Технічні характеристики тестера напівпровідників і вимірювача RLC, ESR.

1. Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, індуктивностей проводиться за одну операцію — натисканням кнопки.   Автоматичне вимкнення після тесту.
2. Споживаний струм після вимкнення не більш ніж 20nA.
3. Діапазон вимірювання резисторів становить від 0,1 Ом до 50M Ом з точністю 1%.
4. Діапазон вимірювання ємності становить від   25рF до 100mF і точністю 1%.
5.   Діапазон вимірювання індуктивності становить від 0,01mН до 20H і точністю 1%.
6. Автоматичне визначення NPN, PNP білосніжних транзисторів, N-канальних і Р-канальних MOS FET, JFET транзисторів, діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, односпрямованих і двоспрямованих тисаторів.
7. Автоматичне визначення цоколювання напівпровідників.
8. Вимірювання в біполярних транзисторів   коефіцієнта посилення та порокової напруги   база — іміттер.
9. Виявлення захисних діодів у біполярних і MOS FET транзисторів.
10. Ідентифікація транзисторів Дарлінгтона.
11. Вимірювання порогової напруги та ємності затвора в MOS FET транзисторів.
12. Вимірювання ESR конденсатора з роздільною здатністю 0,01 Ом.
13. Вимірювання подвійних резисторів (потенціометрів)   з показом на дисплеї символів резистора.
14. Відображення символів подвійних діодів із вимірюванням прямої напруги кожного переходу.
15. Визначення комбінованих світлодіодів.
16. Визначення напруги пробою в стабілізронах із напругою   не більш ніж 4.5V.